用作绝缘气体。

用作半导体器件制作过程中的等离子刻蚀气和清洗气。

主要用于化学气相淀积(CVD)装置的清洗、等离子体工艺的蚀刻气体。

作为气态磷离子注入源。

可用作蚀刻气体、掺杂剂和清洗剂等。

主要用于薄膜沉积与蚀刻工艺。