在半导体领域，主要应用在半导体前驱体材料和绝缘薄膜的制备。

在半导体领域，主要应用在化学气相沉积（CVD）过程中沉积二氧化钛（TiO₂）和氮化钛（TiN）薄膜‌。

是制备钴金属、氮化钴、钴硅化物等的重要前驱体，特别是对于钴阻挡层/衬层、共覆盖层和共晶种层的应用，具有优异的性能。

在半导体领域，主要作为催化剂和电子材料。

作为前驱体合成铟锡氧化物(ITO)。

制备 ITO 薄膜和 Ⅲ ～ Ⅴ族半导体材料的主要原料, 也是合成有机铟系列化合物的基本原料, 还可用作有机反应的催化剂 ,在有机合成和电子工业方面具有广泛的应用。